PREMIUM

基底尺寸：4 ~ 12”标准（晶片）

热原子层沉积工艺（可用等离子工艺）

喷头和基底之间的间隙可调

气体输送系统：起泡器、LDS等

最高温度：500℃（晶片）

前驱罐数量：最多4套（标准）

压力控制：由节流阀自动控制

工艺量具：电容膜片量规(10 Torr)

工艺泵：干式泵（可用旋转泵）

泵送管线热阱来减少颗粒