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地址:北京市石景山区八大处路49号院1号楼层903室
发布时间:2024-03-01 13:58:31 浏览次数:675次
FHR.Star.75/100-PentaCo为特殊设计、高度集成的溅射设备,适用于晶圆类基片或使用载架的工艺处 理。设备构造包括一个配备机械手的进样室和一个最多可装配五个溅射源的工艺腔室。各源以共 焦方式排列。沉积过程通过加热式旋转背板携带载片器共同运动方式执行。旋转台接入RF偏压。 溅射源装配直径100 mm的平面阴极和气动控制式挡板,可实现依序沉积和共沉积两种工艺方式。 此外,各源可沿轴向及横向进行位置调节,并且载片台也可将载片器提升起来。因此,可在不同 靶基距条件下实现不同高度基片的膜层工艺。自动传输系统将载片器从进样室传输到工艺腔室。 通过预先编辑好的工艺流程自动实现基片依序沉积工艺。
FHR.Star.75-PentaCo | FHR.Star.100-PentaCo | |
设备尺寸(长x宽x高) | 4.1 m × 2.8 m × 2.7 m (含电源架) (incl. power racks) | |
重量 | < 2500 kg | |
基片最大尺寸 | 直径200mm | 直径200mm |
均匀镀膜区 | 直径100mm | 直径150mm |
载片器 | 直径240 mm | |
进样室类别 | 单片式进样室,配备自动传输机械手 | |
设备构造 | 4 × FHR.SC75-DC/RF (溅射) 1 × FHR.IEC100-RF (刻蚀) | 4 × FHR.SC100-DC/RF (溅射) 1 × FHR.IEC120-RF (刻蚀) |
或 5 × FHR.SC75-DC/RF (溅射) | 或 5 × FHR.SC100-DC/RF (溅射) | |
工艺气体 | 氩气(Ar), 氧气 (O2), 其它种类按需提供 |
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